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01新興應用下SiCMOSFET靜態測試面臨的新挑戰隨著科技的不斷進步和新材料的性能提升,功率半導體器件的結構正逐漸復雜化,而功率半導體的襯底材料也朝著大尺寸和新型材料的方向發展。特別是以碳化硅(Si
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